Город 21 Века

По секрету...









Америка доказала, что мы можем

Автор: Ольга Рубан
Источник: Expert.ru



Выдающиеся успехи фирмы Cree, ключевая технология которой имеет советские корни, доказывают, что на базе наших инноваций можно выращивать лидеров мирового хайтека 

 Объемный кристалл карбида кремния, выращенный по методу ЛЭТИ (вид сверху)

Фото предоставлено Санкт-Петербургским государственным электротехническим университетом (ЛЭТИ)

 

История американской компании Cree — блестящий пример создания мирового лидера хайтека на основе научных достижений. Сделав в конце 1980-х ставку на выращивание кристаллов карбида кремния (по своим свойствам он превосходит кремний, используемый как полупроводниковый материал в электронике), компания уловила восходящий тренд. Сегодня карбид кремния используется в светодиодах, в электронике судовых электрогенераторов, солнечных электростанций, ветряков, а также в энергетических установках электромобилей и высокоскоростных локомотивов. Пока он еще слишком дорог, но со временем должен вытеснить обычный кремний из силовой электроники. Cree активно работает над дальнейшим усовершенствованием и удешевлением технологии. Оборот компании превысил миллиард долларов (1,16 млрд), она обеспечивает 85% потребностей мировой индустрии в этом материале и занимает первое место в самых перспективных нишах его применения.

Особый интерес этой истории успеха придает тот факт, что технология выращивания кристаллов карбида кремния, которая уже больше двух десятилетий обеспечивает американцам мировое лидерство, родом из Советского Союза. На производственной площадке Cree ее по сей день совершенствуют наши соотечественники, обычные ученые, которые, как принято считать в России, не способны трансформировать научные разработки в промышленные технологии. Но если американцы построили выдающуюся высокотехнологическую компанию, используя наши технологические заделы и наших специалистов, то почему бы нам наконец не научиться делать то же самое?
 

Выросли только в Ленинграде

История началась в 1970-х годах, когда нашим ученым удалось вырастить большие кристаллы карбида кремния. Еще в 1950-е исследователям было ясно, что если изготавливать диоды, транзисторы, терристоры и другие элементы на карбиде кремния вместо обычного кремния, то они будут отличаться высокой надежностью — смогут стабильно работать при высоких температурах и в условиях повышенного радиационного фона. Кроме того, эти компоненты окажутся гораздо компактнее кремниевых, поскольку карбиду кремния не требуется охлаждение. «В конце 1950-х казалось, что можно перевести с кремния на карбид кремния всю электронику, в первую очередь транзисторы, — рассказывает Александр Лебедев, заведующий лабораторией в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН. — По этому поводу в мире поднялась волна энтузиазма». Однако энтузиазм этот быстро угас — все оказалось сложнее, чем казалось поначалу.

Чтобы массово применять карбид кремния в электронной промышленности, требовались объемные кристаллы большого размера, однородные по структуре и одинаковые по качеству. Только из таких слитков можно было нарезать тонкие пластины и затем использовать их в качестве подложек. Однако ни один из существовавших тогда методов получения этого материала не позволял выращивать нужные кристаллы (метод Лэли, самая совершенная на тот момент ростовая технология, давал на выходе плоские пластинки произвольной формы, очень разные и по структуре, и по свойствам). Многочисленные попытки создать новый метод почти пятнадцать лет не приносили никаких результатов. В итоге в конце 1960-х тему карбида кремния на Западе решили закрыть: инвестиции в эту область материаловедения направлять перестали.

 

По методу Лэли можно получить лишь маленькие пластинки карбида кремния неправильной формы (верхний кристалл). Метод ЛЭТИ позволяет выращивать объемные були большого размера правильной цилиндрической формы (нижняя пластина отрезана от такой були)

Фото предоставлено Санкт-Петербургским государственным электротехническим университетом (ЛЭТИ)

 

 

Между тем в СССР исследования в области технологий получения карбида кремния велись активно: этой темой занимались параллельно академическая и вузовская наука. Успехом увенчались усилия обеих школ. В 1970 году собственный метод выращивания заветных кристаллов был разработан в лаборатории Юрия Водаковав Институте им. Иоффе (см. «Второй Cree не получилось»), а несколькими годами позже еще одну ростовую технологию создала группа ученых Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ), которой руководил профессор ЮрийТаиров, проректор ЛЭТИ по научной работе. Именно метод ЛЭТИ впоследствии был использован для развития бизнеса Cree.

Двадцать пять научных сотрудников группы Таирова в 1976 году смогли вырастить объемные цилиндрические були карбида кремния однородной структуры. К началу 1980-х диаметр кристаллов достиг внушительных по тем временам размеров — 30 мм в диаметре (максимальный размер пластинок Лэли — 15 мм). Это были прозрачные слитки красивого болотно-зеленого цвета. Быстро взрослела и сама ростовая технология: наши исследователи все лучше и лучше управляли процессом формирования кристаллов — контролировали наличие дефектов и минимизировали количество нежелательных примесей.

Шанс, который мы упустили

Промышленное освоение метода началось в 1982 году — ленинградскую технологию внедрили на Подольском химико-металлургическом заводе. На эксперимент с новым материалом директор завода Анатолий Дроздов пошел на свой страх и риск, интуитивно чувствуя, что у карбида кремния большое будущее. «Мы заразили его нашей идеей, и он сумел изыскать средства и поставил на одном из производственных участков опытную линию», — рассказывает Юрий Таиров, заведующий лабораторией карбида кремния в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете ЛЭТИ.

Отработка технологии успешно велась в течение пяти лет. Однородность структуры и качество получаемого материала были вполне удовлетворительными даже для таких ответственных сфер применения, как космос и оборонка. Фактически уже в середине 1980-х, значительно раньше западных конкурентов, страна могла начать серийный выпуск этого материала, реализовав тем самым мечту электронщиков о карбид-кремниевых приборах. Однако вместо прорыва произошел коллапс. В 1987 году промышленное развитие технологии неожиданно оборвалось: директору завода сверху спустили приказ прекратить заниматься «всякой ерундой» и сосредоточиться на производстве сверхчистого кварца, без которого невозможно получить кремний высокого качества для микроэлектронной промышленности. Другими словами, вместо того чтобы сформировать рынок нового перспективного материала и задавать тон в этой нише хайтека, СССР предпочел бросить силы и средства на то, чтобы догонять Запад по линии уже достигшей зрелости кремниевой технологии, все преимущества которой были давно отыграны другими.

Созданная под карбид кремния технологическая линия была разрушена, а ростовые установки списаны в металлолом — группа Юрия Таирова лишилась промышленной базы. Для школы это стало колоссальным ударом. Развитие технологии замкнулось в стенах кафедры ЛЭТИ, скорость продвижения вперед резко замедлилась. Потом пришли 1990-е с их тотальным безденежьем, и наши ученые окончательно утратили лидерские позиции.

Своевременный стартап

В том же 1987 году, когда СССР зарубил на корню свою карбид-кремниевую промышленность, в США была создана компания Cree.

Есть версия, что решение о создании Cree было принято на семинаре Юрия Таирова. В 1987 году профессор Университета штата Северная Каролина РобертДэвис попросил своего русского коллегу, находившегося в тот момент в США, рассказать о практических аспектах выращивания объемных кристаллов карбида кремния нескольким молодым людям, которых он представил как своих аспирантов.

Впрочем, в Cree нам ответили, что профессор Таиров никогда не встречался с основателями компании в Университете Северной Каролины. Первая их встреча произошла в 1989 году во Флориде, через пять-шесть лет после того, как основатели компании начали работать над выращиванием кристаллов карбида кремния в этом университете.

 

Объемный кристалл карбида кремния, выращенный по методу ЛЭТИ (вид сбоку)
Фото предоставлено Санкт-Петербургским государственным электротехническим университетом (ЛЭТИ)

 

 

 

Возможно, на той университетской встрече интерес к наработкам советского ученого проявили будущие инвесторы стартапа. «Наверное, я их убедил», — предполагает Юрий Таиров. Так или иначе, именно в 1987 году при Университете штата Северная Каролина был создан стартап. Целью нового бизнеса было получение карбида кремния и создание на его основе электронных компонентов.

Молодая инновационная компания намеревалась коммерциализировать ту ростовую технологию, которая была описана в публикациях Юрия Таирова и ВалерияЦветкова, тоже профессора ЛЭТИ и одного из ведущих исследователей научной группы Таирова, как наиболее продвинутую на тот момент. При этом четверо из шести основателей компании не были новичками в этой теме — кристаллографы Кельвин КартерЭрик ХантерДжон Эдмонд и Джон Палмор пытались выращивать этим методом карбид-кремниевые кристаллы еще в университетской лаборатории. На старте бизнес-проекта в развитие этой ростовой технологии было вложено порядка 2 млн долларов.

Новая компания достаточно быстро достигла определенных успехов: с первыми карбид-кремниевыми пластинами, нарезанными из кристаллов диаметром 25 мм, Cree вышла на рынок уже в 1989 году. Однако в выращиваемых булях было слишком много дефектов — микропор, которые делали материал непригодным для применения в большинстве областей. «Первое время их подложки были ужасного качества. Мы тогда над ними даже смеялись», — вспоминает Александр Лебедев из Института им. Иоффе. Лебедеву и его коллегам было с чем сравнивать: они много лет использовали в своих исследованиях подольский карбид кремния, отличавшийся высочайшим качеством.

«В 1990-е каждый спасался, как мог, — рассказывает Юрий Таиров. — Из Физико-технического института уехало много молодых талантливых ученых, работавших с карбидом кремния. Сейчас они занимают приличные позиции в компаниях по всему миру. Эти компании поднялись во многом благодаря им». Сам Таиров потерял больше половины сотрудников своей группы. Некоторые из них теперь работают в Cree.

О правильном использовании заделов

Компания Cree, удерживающая статус ведущего мирового производителя карбида кремния с 1990 года, собрала у себя лучших специалистов со всего мира, в частности из фирмы Westinghouse и университета немецкого города Эрланген. Но даже на этом фоне научный и инженерный заделы ЛЭТИ имели для рыночного лидерства Cree существенное значение — они позволили компании опередить потенциальных конкурентов.

Рассказывают, что в начале 1990-х по наводке ученых Института им. Иоффе те ростовые установки, которые подольский завод в свое время вынужден был списать в металлолом, были выкуплены как вторсырье и вывезены за границу. Это промышленное оборудование, на котором отрабатывалась ростовая технология ЛЭТИ, представляло ценность (и немалую) только для того, кто разворачивал серийное производство карбида кремния. В Cree категорически опровергли наше предположение, что оборудование вывезли они: по их словам, это была «какая-то другая американская компания», которая тоже сотрудничала с Институтом им. Иоффе.

Cree вообще предпочитает не афишировать связь между своим бизнесом и разработками советских ученых, несмотря на то что у нее уже двадцать лет работает сам Валерий Цветков. Для Cree, боровшейся с дефектами, которые генерировала «вычитанная» в статьях Таирова и Цветкова технология, его приезд стал настоящим подарком судьбы. Он обладал всем объемом знаний, накопленных группой Таирова не только в научной лаборатории, но и в цехе подольского завода, и привез в США «сухой остаток» опыта самой продвинутой на тот момент научной школы.

Цветков сам связался с американцами в 1993 году из университета немецкого города Эрланген и предложил помочь перейти на 40-миллиметровые кристаллы с минимальным количеством микропор.

Помимо Валерия Цветкова в числе сотрудников американской компании оказался и еще один выходец из школы ЛЭТИ — Игорь Хлебников, бывший аспирант Таирова, много лет занимавшийся карбидом кремния в Таганрогском радиотехническом институте. В середине 1990-х, когда его сын, ЮрийХлебников, создал в США фирму, растившую карбид кремния по методу ЛЭТИ, Игорь Хлебников перебрался в Штаты и обеспечил этому бизнесу научное сопровождение. Качество материала, который получали Хлебниковы, было выше того, с которым на тот момент мучилась Cree. Фирму Хлебниковых купила Intrinsic Semiconductor, еще одна компания, растившая карбид кремния, а ее в свою очередь поглотила Cree.

 

Юрий Таиров, заведующий лабораторией карбида кремния в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете; основатель карбид-кремниевой школы ЛЭТИ
Фото: Юлия Лисняк

 

 

 

Таким образом, в Cree оказался реализован симбиоз наработок далеко продвинувшейся советской научно-инженерной школы и гораздо более молодой американской, которая тем не менее к моменту появления Цветкова и Хлебникова уже имела свою версию ростовой технологии. Быстрое развитие этой американской версии во многом было обусловлено масштабными инвестициями: помимо частных денег в нее были вложены миллионы долларов правительственных грантов. «Cree освоила промышленное производство карбида кремния за очень короткий срок. Им не нужно было проходить длительный и тяжелый начальный период проб и ошибок. Они использовали наших специалистов, их наработанный опыт, и у них все пошло очень быстро, — говорит Юрий Таиров. — Плюс к тому у американцев была возможность вкладывать хорошие деньги. Мы никогда не имели достаточного финансирования, даже в советское время. Нам всегда не хватало средств, чтобы создать установки для выращивания кристаллов на хорошем техническом уровне и приобрести современную измерительную аппаратуру для изучения свойств материала, который мы получали».

Своим успехом американцы продемонстрировали всему миру, что советская ростовая технология имеет серьезный промышленный потенциал. Вслед за Cree метод ЛЭТИ стали ставить на своих фабриках десятки фирм и фирмочек. «Компании Cree первой удалось превратить кристаллы, выращиваемые по методу Таирова—Цветкова, в промышленный продукт, — подчеркивает Александр Лебедев из Института им. Иоффе. — После Cree этот метод стал основой для промышленного производства карбида кремния во всем мире».

Главный по свету

Cree сделала технологию выращивания карбида кремния своей ключевой компетенцией, на этом материале компания каждый год получает десятки миллионов долларов прибыли. Торжество американского хайтека по-прежнему не обходится без активного участия наших соотечественников.

Каждый раз при переходе на новый размер кристалла в выращиваемом материале снова появляются микропоры. Чтобы избавиться от них, нужно потратить год-два — по сути, отработать ростовую технологию заново. Этим занимается R&D-департамент, в котором в настоящее время работает более десятка ученых-кристаллографов, включая Валерия Цветкова и Юрия Хлебникова.

После того как сотрудники R&D-де­пар­тамента разрабатывают техпроцесс роста кристаллов и получают опытные образцы, они передают технологию специальной группе инженеров, которая отвечает за постановку новых продуктов на производство. Эта группа доводит процесс до той стадии, когда он может обеспечить массовое производство. И затем передает его производственным технологам. Все стадии инновационного процесса капиталоемки: на R&D и внедрение Cree ежегодно тратит от 60 до 100 млн долларов.

Научившись в начале 2000-х выращивать 100-миллиметровые кристаллы, компания решила удвоить свои ростовые мощности, и теперь она, по оценкам отраслевых экспертов, располагает 250–300 промышленными установками.

Последнее достижение Cree — компания первой в мире освоила серийное производство кристаллов карбида кремния диаметром 150 мм. А Валерий Цветков, которому уже исполнилось 67 лет, сейчас растит кристалл диаметром 200 мм. За очередным размером Cree гонится не ради рекорда: чем больше выращиваемый кристалл, тем меньше удельная себестоимость материала, а значит, выше ценовая конкурентоспособность конечных продуктов компании — светодиодов и компонентов для электронных приборов.

Собственные светодиоды для общего освещения Cree начала выпускать в 2004 году. Этим она фактически создала для своего карбида кремния новый рынок. Первой и единственной в мире она стала делать из этого материала подложки для светодиодных чипов, тогда как все остальные производители чипов использовали и используют в качестве подложек сапфир. Во многом благодаря именно карбид-кремниевым подложкам Cree ворвалась в только зарождавшуюся светодиодную индустрию, оттеснила ведущих игроков предыдущей волны, правивших бал на рынке традиционного света, и стала общепризнанным технологическим лидером в нише светодиодов для общего освещения.

Карбид кремния как будто специально создан для мощных светодиодов, которым суждено заменить классические лампы. Его кристаллическая решетка обладает бо́льшим сродством с кристаллической решеткой нитрида галлия (активного материала чипа, в котором происходит генерация света), чем кристаллическая решетка сапфира, и при выращивании структур нитрида галлия на подложке из карбида кремния в первом образуется гораздо меньше дефектов и дислокаций, а значит, чип может выдавать более мощный поток света.

Во многом за счет преимуществ карбида кремния светодиоды Cree — самые эффективные с точки зрения световой отдачи, ключевого параметра источников света. По этому параметру компания лидирует с большим отрывом от других производителей и фактически задает темп развитию мировой светодиодной индустрии.

К слову, становление светодиодного направления бизнеса Cree тоже не обошлось без «русского следа». Технологию выращивания излучающих свет структур нитрида галлия на подложке из карбида кремния американцам в начале 1990-х ставил наш соотечественник Владимир Дмитриев, который уехал в США из Института им. Иоффе. К этой работе он подключил и своих оставшихся в Ленинграде коллег.

Сегодня светодиоды на карбиде кремния — основной продукт Cree, их продажи приносят 80% доходов компании. К примеру, в прошлом году Cree заработала на светодиодах порядка 1 млрд долларов.

Антикремниевая революция

Вторая перспективная ниша применения карбида кремния — компонентная база для силовой электроники. Здесь Cree тоже первая. Ее стратегическая цель на этом направлении хайтека — вытеснить кремний и перевести силовую электронику на карбид кремния.

Поначалу силовую электронику, как и всю остальную, делали на кремнии. Когда благодаря Cree на рынке появился «серийный» карбид кремния хорошего качества, некоторую, очень небольшую, часть компонентов силовой электроники начали выпускать на его основе. Главное преимущество этого материала — безотказная работа в жестких условиях (при перегревах, в сильных радиационных полях и т. п.). Поэтому на карбиде кремния стали изготавливать в первую очередь те компоненты, для которых критически важна высокая выживаемость. В 1980–1990-е роскошь использовать этот очень надежный, но гораздо более дорогой по сравнению с кремнием материал могли позволить себе в основном только нерыночные игроки — военный космос и спецтехника.

По мере того как Cree и ее последователи снижали себестоимость производства карбида кремния, его стали применять и в обычной технике — в блоках питания серверов, в судовых электрогенераторах, на солнечных электростанциях, в ветряках и проч. В этих областях техники основными потребителями карбида кремния являются инверторы (преобразователи энергии). Инверторы на карбиде кремния не только супернадежны, они еще позволяют свести к минимуму безвозвратные потери энергии. «Например, при преобразовании постоянного электрического тока от солнечных элементов в солнечных батареях силовая электроника на основе кремния теряет до семи процентов энергии. Если же преобразователь изготовлен с использованием компонентов на карбиде кремния, потерь практически нет совсем — в электричество преобразуется 99,2 процента энергии», — поясняет Юрий Макаров, руководитель компании «Нитридные кристаллы».

Минимизация потерь важна для большинства областей техники. Поэтому рост рынка карбида кремния будет обусловлен расширением номенклатуры устройств-пользователей, которые востребуют силовую электронику нового уровня. «Энергетические установки электромобилей, высокоскоростных локомотивов и авиалайнеров будущего будут построены уже не на кремниевой, а на карбид-кремниевой силовой электронике», — уверен Юрий Макаров. Мнение ученого подтверждают прогнозы аналитиков рынка. Согласно выводам Yole Developpement, к 2015 году рынок приборов и модулей на карбиде кремния составит до 17 млрд долларов, а к 2020-му вырастет еще в два раза — до 35 млрд. Локомотивами роста данного рынка, как ожидается, станут автопром и альтернативная энергетика.

Пока в нише силовой электроники карбид кремния отвоевал только hi-end — самую сложную, самую ответственную и самую дорогостоящую технику. Но по мере того, как разрыв в цене между этими материалами будет сокращаться (для успешной конкуренции с приборами на кремнии себестоимость карбид-кремниевых приборов нужно снизить как минимум вдвое), проникновение карбида кремния в нишу силовой электроники будет увеличиваться.

Вторая попытка

На фоне головокружительного успеха Cree перспективы отечественного карбида кремния выглядят бледно. И все же основатель карбид-кремниевой школы ЛЭТИ, которому уже за восемьдесят, во второй раз пытается реализовать промышленный потенциал своей разработки.

Несмотря на все передряги 1990-х, Юрию Таирову удалось сохранить наиболее ценных сотрудников и саму ростовую технологию. По иронии судьбы в самый тяжелый для вузовской науки период середины 1990-х группе Таирова помогли продержаться американские деньги. «В 1993 году я выиграл грант МНТЦ на 600 тысяч долларов. Для того времени это была астрономическая сумма, — рассказывает Юрий Таиров. — За счет этих средств мне удалось сохранить и само направление научных исследований, и ключевых специалистов». Однако промышленного развития ростовая технология ЛЭТИ за все эти годы так и не получила. После того как подольский завод вышел из игры, она фактически вернулась на лабораторный уровень.

Сейчас команда Таирова — это чисто научная группа. Она состоит из пяти исследователей, располагающих четырьмя опытными ростовыми установками. В этих установках в условиях институтской кафедры выращиваются кристаллы карбида кремния диаметром 76 мм, из которых затем делают подложки для единичных устройств. Заказчиками материала выступают предприятия, выпускающие приборы для оборонки.

В этом году представители электронной промышленности изъявили готовность вложить несколько миллионов долларов в создание небольшого производства карбида кремния — порядка десяти ростовых установок. Его конечным продуктом должна стать компонентная база для силовой и СВЧ-электроники.

Поскольку в рамках проекта предстоит заново создавать промышленное ростовое оборудование, на первом месте в перечне рисков — дефицит начальных инвестиций. Сам основатель карбид-кремниевой школы оценивает минимальные стартовые вложения в возрождение промышленной базы в 25 млн долларов. «Если вы не готовы вкладывать 25 млн долларов, лучше вообще не начинать. Потому что, пока вы будете кувыркаться, скажем, с пятью или с десятью миллионами, всегда найдется тот, кто вас обойдет», — уверен Юрий Таиров.

Другой риск — неопределенность рыночных перспектив проекта. Помимо спецтехники потребителями продукции новой компании могли бы стать российские производители локомотивов (Трансмашхолдинг и группа «Синара»). Но никаких договоренностей с потенциальными заказчиками пока нет.

В подобной ситуации шансов вырасти в масштабный бизнес у этого проекта немного. «В России нет ни одного крупного национального производителя силовой электроники, который бы успешно конкурировал с зарубежными фирмами и мог выступить потребителем отечественного карбида кремния, — подчеркивает Юрий Макаров. — Создать такого производителя очень непросто — нужны политическая воля и большие инвестиции. Да и вкладываться в ставшую уже стандартной технологию не имеет смысла. Cree, Infineon и другие фирмы уже ушли далеко вперед, они создали мощный технологический задел и отладили массовое производство — попытки догнать таких серьезных конкурентов ни к чему не приведут».

Рынок карбида кремния и устройств на его основе действительно давно занят и поделен. Помимо Cree и Infineon здесь присутствует немало других сильных игроков — японская Nippon Steel, немецкая Aixtron, американская Dow Corning и проч. Именно эти компании с отработанной технологией и минимизированной себестоимостью материала будут вовлекать в свою орбиту новых потребителей силовой карбид-кремниевой электроники по мере их появления. У молодой компании, которую создают питерские ученые, вряд ли найдется что противопоставить лидерам рынка.

Максимум, на что могут рассчитывать наши герои, — стать нишевым производителем, обслуживающим узкие области, которые всегда открываются на еще не устоявшихся рынках, связанных с новыми материалами. Но чтобы реализовать подобную стратегию, молодая компания должна будет вести адресную маркетинговую работу, а этот вид деятельности — традиционно слабое место российских инноваторов.

Хайтек по образцу

Скепсис специалистов относительно перспектив карбид-кремниевого бизнеса ЛЭТИ свидетельствует лишь о том, что, хотя наша страна и начинала динамично и ярко, лидером в этой области хайтека ей не стать уже никогда. Но ничто не мешает нам извлечь из этого проекта пользу иного рода. Теперь, когда Россия осознала, что ей все-таки нужна собственная высокотехнологическая индустрия, его можно использовать как учебное пособие, по которому все участники нашей национальной инновационной системы (НИС) будут учиться строить правильный хайтековский бизнес.

В России сегодня есть немало носителей сильных инновационных технологий, подобных группе Таирова (намерение отыс­кать их всех и занести в единый реестр вынашивается с начала 2000-х). Однако бурного расцвета отечественного хайтека так и не случилось. Выходит, мы упустили что-то очень важное. Что-то, без чего даже из по-настоящему прорывных разработок наших научно-инженерных школ не вырастают герои мирового хайтека, подобные фирме Cree.

Если внимательно посмотреть, что и как делала Cree, то выяснится, что немаловажный элемент ее инновационной системы — особая группа инженеров, которая трансформирует отработанную Валерием Цветковым опытную технологию в крупносерийную промышленную. Подобная деятельность была рутинным занятием советских инженеров и называлась постановкой разработок на серийное производство. Россия же эти компетенции утратила практически полностью. Произошло это в тот период, когда сначала развалилась сеть отраслевых НПО и НПП, а затем один за другим стали сходить со сцены крупные промышленные предприятия советского образца, имевшие у себя всю цепочку внедрения от КБ до производственных цехов.

Теперь мы имеем множество малых научно-инженерных фирм, ростков национального хайтека, которые годами работают как опытные производства, изготавливая единичные экземпляры либо, в лучшем случае, мелкие партии инновационной техники. Кардинально расширить производство и вывести свой бизнес на уровень хотя бы среднего они не в состоянии, в том числе в силу того, что переход от опытной технологии к серийной требует компетенций, которых нет ни у них самих, ни у инфраструктурных игроков рынка высоких технологий. (Кстати, проект, который ЛЭТИ планирует запустить совместно с электронной промышленностью, предполагает не что иное, как создание очередной малой научно-инженерной фирмы с мощностями, размер которых эквивалентен опытному производству.) Функция запускать инновации в серию фактически выпала из зон ответственности всех операторов российской НИС.

У Cree, которая достроила к собственно технологии инвестиции, менеджмент, производственную базу, особое промышленное R&D, специальный, заточенный под высокотехнологичные рынки маркетинг и проч., можно подсмотреть целый ряд такого рода «деталей», присущих «правильной» высокотехнологической компании. И сразу обкатать их на практике — как раз для этого идеально подойдет затеваемый ЛЭТИ и электронщиками проект. Так мы сможем наконец научиться трансформировать научные разработки в устойчивый хайтековский бизнес. После этого имеет смысл вернуться к идее создания реестра выживших научно-технологических команд с сильными инновациями.    

Схема   Схема технологической установки для выращивания карбида кремния 

 

 

  

 

Подписка на рассылку анонсов новых статей портала

  

 


Смотрите также:


Подписка на нашу рассылку


Логин: Ваш адрес электронной почты: Пароль: Пароль (повтор):